三菱電機、低消費電力化に貢献するパワー半導体
三菱電機は、EV（電気自動車）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどの、パワーエレクトロニクス機器に使用可能なトレンチ型SiC-MOSFETチップ、4品種のサンプル提供を1月21日に開始すると発表した。これらのパワー半導体チップを新たにラインアップすることで、さまざまなパワーエレクトロニクス機器へのパワー半導体チップの組み込みニーズに対応し、低消費電力化と性能維持に貢献する。
近年、脱炭素社会の実現に向けて、パワーエレクトロニクス機器の市場拡大が見込まれている。EVのトラクションインバーターや、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどのパワーエレクトロニクス機器は、性能や品質の向上に向けさまざまな仕様が増えており、それに伴い機器に使用されるパワー半導体を、チップとして組み込む要望が増えている。
三菱電機は、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体モジュールを2010年に製品化して以来、エアコンや産業用機器、鉄道車両のインバーターシステムに採用され、家電や産業用機器、鉄道車両の低消費電力化に貢献してきた。
今回、さまざまなパワーエレクトロニクス機器へのパワー半導体チップの組み込みニーズに対応するため、新たに、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」をラインアップする。新製品は、既存のトレンチ型SiC-MOSFETチップと同様、同社独自構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETにより、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して電力損失を約50％低減することに加え、同社独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、電力損失やオン抵抗などの変動を抑制し長期間使用時における品質の安定性を実現する。これらの技術を適用した仕様の異なる4品種のパワー半導体チップをラインアップすることで、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどさまざまなパワーエレクトロニクス機器などへの組み込みが可能となり、機器の低消費電力と性能維持に貢献する。
この記事を書いた記者
- 元「日本工業新聞」産業部記者。主な担当は情報通信、ケーブルテレビ。鉄道オタク。長野県上田市出身。
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