東芝、SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現
東芝は、同社グループが強みを有するパワー半導体分野において、次世代デバイスであるSiC(炭化ケイ素)デバイスの性能を最大限引き出す2つの次世代ゲートドライバー技術を開発した。本技術により、SiCデバイスの高効率化・小型化および信頼性向上を実現し、EVなどにおけるエネルギー効率の向上や、UPS（無停電電源装置）をはじめとするデータセンター向け電源システムの高電流密度化を通じて、脱炭素社会の実現に貢献する。
同社は、SiCデバイスを駆動するゲートドライバーICにおいて、世界初の自動駆動波形生成機能により、損失とノイズの最適バランス制御を可能とする「フィードバック型アクティブゲートドライバー技術」、および少ないキャパシタ構成で多段の階段状のゲート電圧生成を世界で初めて実現し、駆動損失を大幅に削減する「低損失ゲートドライバー技術（2進重みづけスイッチドキャパシタ方式）」を開発した。これにより、SiCデバイスの電力損失を低減し、高効率化・小型化と信頼性向上を同時に実現した。
この記事を書いた記者
- 元「日本工業新聞」産業部記者。主な担当は情報通信、ケーブルテレビ。鉄道オタク。長野県上田市出身。
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